Status ：In development
Polarity ：Single-N
Type ：SiC MOSFET
Package ：TO-247-4L
VDS [V] ：1200
ID [A] ：69
RDS(ON) [mΩ] Typ. ：32
RDS(ON) [mΩ] Max. ：48
VTH [V] Min. ：
VTH [V] Typ. ：2.9
VTH [V] Max. ：
Ciss [pF] ：2812
Coss [pF] ：111
Crss [pF] ：7
td(on) [nS] ：23
tr [nS] ：9
td(off) [nS] ：27
tf [nS] ：11
Qg [nC] ：121
Qgs [nC] ：20.9
Qgd [nC] ：23.2
EAS [mJ] ：
TRR [ns] ：31
PD [W] ：348
Built-in ESD ：No
TJ Max. ：175
Qualification ：Industrial
